IXTP05N100M

IXTP05N100M图片1
IXTP05N100M概述

TO-220 N-CH 1000V 0.7A

通孔 N 通道 1000 V 700mA(Tc) 25W(Tc) TO-220AB


得捷:
MOSFET N-CH 1000V 700MA TO220AB


IXTP05N100M中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 25W Tc

漏源极电压Vds 1000 V

连续漏极电流Ids 0.7A

输入电容Ciss 260pF @25VVds

耗散功率Max 25W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

香港进出口证 NLR

数据手册

在线购买IXTP05N100M
型号: IXTP05N100M
制造商: IXYS Semiconductor
描述:TO-220 N-CH 1000V 0.7A

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