IXTH21N50参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXTH21N50概述

TO-247AD N-CH 500V 21A

通孔 N 通道 500 V 21A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）

得捷:
MOSFET N-CH 500V 21A TO247

艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 500V 21A 3-Pin3+Tab TO-247AD

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin3+Tab TO-247AD

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 21A; 300W; TO247

Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 500V 21A 3-Pin3+Tab TO-247AD

DeviceMart:
MOSFET N-CH 500V 21A TO-247

IXTH21N50中文资料参数规格

技术参数

额定功率 300 W

极性 N-CH

耗散功率 300 W

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 21A

输入电容Ciss 4200pF @25VVds

额定功率Max 300 W

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTH21N50

型号： IXTH21N50

制造商： IXYS Semiconductor

描述：TO-247AD N-CH 500V 21A

替代型号IXTH21N50