IXFR230N20T

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IXFR230N20T概述

ISOPLUS N-CH 200V 156A

N-Channel 200V 156A Tc 600W Tc Through Hole ISOPLUS247™


得捷:
MOSFET N-CH 200V 156A ISOPLUS247


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 200V 156A 3-Pin3+Tab ISOPLUS 247


IXFR230N20T中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 600W Tc

漏源极电压Vds 200 V

连续漏极电流Ids 156A

上升时间 35 ns

输入电容Ciss 28000pF @25VVds

下降时间 29 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 600W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXFR230N20T
型号: IXFR230N20T
制造商: IXYS Semiconductor
描述:ISOPLUS N-CH 200V 156A
替代型号IXFR230N20T
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