IXTR16P60P概述
ISOPLUS P-CH 600V 10A
P-Channel 600V 10A Tc 190W Tc Through Hole ISOPLUS247™
得捷:
MOSFET P-CH 600V 10A ISOPLUS247
贸泽:
MOSFET -10.0 Amps -600V 0.790 Rds
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 600V 10A 3-Pin3+Tab ISOPLUS 247
IXTR16P60P中文资料参数规格
技术参数
极性 P-CH
耗散功率 190 W
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 10A
上升时间 25 ns
输入电容Ciss 5120pF @25VVds
下降时间 38 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 190W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
长度 16.13 mm
宽度 5.21 mm
高度 21.34 mm
封装 TO-247-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买IXTR16P60P