IXFX100N25参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXFX100N25概述

PLUS N-CH 250V 100A

N-Channel 250V 100A Tc 560W Tc Through Hole PLUS247™-3

得捷:
MOSFET N-CH 250V 100A PLUS247-3

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 250V 100A 3-Pin3+Tab PLUS 247

IXFX100N25中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 560W Tc

漏源极电压Vds 250 V

连续漏极电流Ids 100A

上升时间 55 ns

输入电容Ciss 9100pF @25VVds

下降时间 40 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 560W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXFX100N25

型号： IXFX100N25

制造商： IXYS Semiconductor

描述：PLUS N-CH 250V 100A

替代型号IXFX100N25