IXFE55N50

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IXFE55N50概述

ISOPLUS N-CH 500V 47A

N-Channel 500V 47A Tc 500W Tc Chassis Mount SOT-227B


得捷:
MOSFET N-CH 500V 47A SOT-227B


贸泽:
MOSFET 52 Amps 500V 0.08 Rds


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 47A 4-Pin ISOPLUS 227


IXFE55N50中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 90 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 500 W

漏源极电压Vds 500 V

漏源击穿电压 500 V

连续漏极电流Ids 47A

上升时间 60 ns

输入电容Ciss 9400pF @25VVds

下降时间 45 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 40 ℃

耗散功率Max 500W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-227-4

外形尺寸

长度 38.23 mm

宽度 25.42 mm

高度 9.65 mm

封装 SOT-227-4

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXFE55N50
型号: IXFE55N50
制造商: IXYS Semiconductor
描述:ISOPLUS N-CH 500V 47A

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