IXTR200N10P概述
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3Pin3+Tab ISOPLUS 247
N-Channel 100V 120A Tc 300W Tc Through Hole ISOPLUS247™
得捷:
MOSFET N-CH 100V 120A ISOPLUS247
贸泽:
MOSFET 133 Amps 100V 0.008 Rds
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin3+Tab ISOPLUS 247
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 300W; ISOPLUS247™
IXTR200N10P中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 8 mΩ
耗散功率 300 W
阈值电压 5 V
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
上升时间 35 ns
输入电容Ciss 7600pF @25VVds
下降时间 90 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 300W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-247-3
外形尺寸
长度 16.13 mm
宽度 5.21 mm
高度 21.34 mm
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买IXTR200N10P