IXFE80N50参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXFE80N50概述

MOSFET N-CH 500V 72A SOT-227B

N-Channel 500V 72A Tc 580W Tc Chassis Mount SOT-227B

得捷:
MOSFET N-CH 500V 72A SOT-227B

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 72A 4-Pin ISOPLUS 227

IXFE80N50中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 580W Tc

漏源极电压Vds 500 V

输入电容Ciss 9890pF @25VVds

额定功率Max 580 W

耗散功率Max 580W Tc

封装参数

安装方式 Chassis

封装 SOT-227-4

外形尺寸

封装 SOT-227-4

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXFE80N50

型号： IXFE80N50

制造商： IXYS Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 500V 72A SOT-227B

替代型号IXFE80N50