IXTX550N055T2参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXTX550N055T2概述

Mosfet n-Ch 55V 550A Plus247

N-Channel 55V 550A Tc 1250W Tc Through Hole PLUS247™-3

得捷:
MOSFET N-CH 55V 550A PLUS247-3

IXTX550N055T2中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 1250W Tc

漏源极电压Vds 55 V

输入电容Ciss 40000pF @25VVds

耗散功率Max 1250W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTX550N055T2

型号： IXTX550N055T2

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Mosfet n-Ch 55V 550A Plus247

替代型号IXTX550N055T2

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
IXTX550N055T2 IXYS Semiconductor	当前型号	当前型号
IXTK550N055T2 IXYS Semiconductor	类似代替	IXTX550N055T2和IXTK550N055T2的区别

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