IXFN21N100Q参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

IXFN21N100Q图片1

IXFN21N100Q图片2

IXFN21N100Q图片3

IXFN21N100Q图片4

IXFN21N100Q图片5

IXFN21N100Q概述

SOT-227B N-CH 1000V 21A

底座安装 N 通道 1000 V 21A（Tc） 520W（Tc） SOT-227B

得捷:
MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227B

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 1KV 21A 4-Pin SOT-227B

IXFN21N100Q中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 520 W

漏源极电压Vds 1000 V

连续漏极电流Ids 21A

上升时间 18 ns

输入电容Ciss 5900pF @25VVds

额定功率Max 520 W

下降时间 12 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 520W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-227-4

外形尺寸

封装 SOT-227-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXFN21N100Q

型号： IXFN21N100Q

制造商： IXYS Semiconductor

描述：SOT-227B N-CH 1000V 21A

替代型号IXFN21N100Q

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
IXFN21N100Q IXYS Semiconductor	当前型号	当前型号
IXFN24N100 IXYS Semiconductor	功能相似	IXFN21N100Q和IXFN24N100的区别
IXFK21N100Q IXYS Semiconductor	功能相似	IXFN21N100Q和IXFK21N100Q的区别
IXFK21N100F IXYS Semiconductor	功能相似	IXFN21N100Q和IXFK21N100F的区别