IXFN32N100Q3

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IXFN32N100Q3概述

N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Q3 系列HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用,可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装,包括隔离类型,带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流-直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。快速本质整流器二极管 低 RDS(接通)和 QG(栅极电荷) 低本质栅极电阻 工业标准封装 低封装电感 高功率密度 ### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备

N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Q3 系列

HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用,可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装,包括隔离类型,带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流-直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。

快速本质整流器二极管

低 RDS(接通)和 QG(栅极电荷)

低本质栅极电阻

工业标准封装

低封装电感

高功率密度

### MOSFET ,IXYS

IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备


欧时:
MOSFET Nch 1000V 28A Q3 HiPerFET SOT227B


得捷:
MOSFET N-CH 1000V 28A SOT227B


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 1KV 28A 4-Pin SOT-227B


IXFN32N100Q3中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 780W Tc

漏源极电压Vds 1000 V

连续漏极电流Ids 28A

上升时间 15 ns

输入电容Ciss 9940pF @25VVds

额定功率Max 780 W

下降时间 12 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 780W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-227-4

外形尺寸

长度 38.23 mm

宽度 25.07 mm

高度 9.6 mm

封装 SOT-227-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXFN32N100Q3
型号: IXFN32N100Q3
制造商: IXYS Semiconductor
描述:N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Q3 系列 HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用,可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装,包括隔离类型,带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流-直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。 快速本质整流器二极管 低 RDS(接通)和 QG(栅极电荷) 低本质栅极电阻 工业标准封装 低封装电感 高功率密度 ### MOSFET 晶体管,IXYS IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
替代型号IXFN32N100Q3
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IXFN32N100Q3

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