IXFN30N110P

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IXFN30N110P概述

SOT-227B N-CH 1100V 25A

底座安装 N 通道 25A(Tc) 695W(Tc) SOT-227B


得捷:
MOSFET N-CH 1100V 25A SOT-227B


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 1.1KV 25A 4-Pin SOT-227B


IXFN30N110P中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 695W Tc

漏源极电压Vds 1100 V

连续漏极电流Ids 25A

输入电容Ciss 13600pF @25VVds

额定功率Max 695 W

耗散功率Max 695W Tc

封装参数

安装方式 Chassis

封装 SOT-227-4

外形尺寸

封装 SOT-227-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXFN30N110P
型号: IXFN30N110P
制造商: IXYS Semiconductor
描述:SOT-227B N-CH 1100V 25A
替代型号IXFN30N110P
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IXFN30N110P

IXYS Semiconductor

当前型号

当前型号

APT26M100JCU3

美高森美

功能相似

IXFN30N110P和APT26M100JCU3的区别

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