IXTH3N200P3HV

IXTH3N200P3HV图片1
IXTH3N200P3HV图片2
IXTH3N200P3HV图片3
IXTH3N200P3HV概述

2000V 3A 8Ω N-ch TO-247

N-Channel 2000V 3A Tc 520W Tc Through Hole TO-247


得捷:
MOSFET N-CH 2000V 3A TO247


艾睿:
POWER MOSFET


IXTH3N200P3HV中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 520W Tc

漏源极电压Vds 2000 V

输入电容Ciss 1860pF @25VVds

耗散功率Max 520W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTH3N200P3HV
型号: IXTH3N200P3HV
制造商: IXYS Semiconductor
描述:2000V 3A 8Ω N-ch TO-247

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台