IXFN100N25

IXFN100N25图片1
IXFN100N25图片2
IXFN100N25图片3
IXFN100N25图片4
IXFN100N25概述

SOT-227B N-CH 250V 100A

N-Channel 250V 100A Tc 600W Tc Chassis Mount SOT-227B


得捷:
MOSFET N-CH 250V 100A SOT-227B


贸泽:
MOSFET 100 Amps 250V 0.027 Rds


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 250V 100A 4-Pin SOT-227B


IXFN100N25中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 27 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 600 W

漏源极电压Vds 250 V

漏源击穿电压 250 V

连续漏极电流Ids 100A

上升时间 55 ns

输入电容Ciss 9100pF @25VVds

下降时间 40 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 600W Tc

封装参数

安装方式 Chassis

封装 SOT-227-4

外形尺寸

长度 38.2 mm

宽度 25.07 mm

高度 9.6 mm

封装 SOT-227-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXFN100N25
型号: IXFN100N25
制造商: IXYS Semiconductor
描述:SOT-227B N-CH 250V 100A
替代型号IXFN100N25
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IXFN100N25

IXYS Semiconductor

当前型号

当前型号

IXTQ100N25P

IXYS Semiconductor

功能相似

IXFN100N25和IXTQ100N25P的区别

IXTT100N25P

IXYS Semiconductor

功能相似

IXFN100N25和IXTT100N25P的区别

IXFH100N25P

IXYS Semiconductor

功能相似

IXFN100N25和IXFH100N25P的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台