IXFR21N100Q

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IXFR21N100Q概述

ISOPLUS N-CH 1000V 18A

通孔 N 通道 18A(Tc) 350W(Tc) ISOPLUS247™


得捷:
MOSFET N-CH 1000V 18A ISOPLUS247


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 1KV 18A 3-Pin3+Tab ISOPLUS 247


IXFR21N100Q中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 350W Tc

漏源极电压Vds 1000 V

连续漏极电流Ids 18A

上升时间 18 ns

输入电容Ciss 5900pF @25VVds

下降时间 12 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 350W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXFR21N100Q
型号: IXFR21N100Q
制造商: IXYS Semiconductor
描述:ISOPLUS N-CH 1000V 18A
替代型号IXFR21N100Q
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