IXTH102N20T参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXTH102N20T概述

Trans MOSFET N-CH 200V 102A Automotive 3Pin3+Tab TO-247AD

通孔 N 通道 200 V 102A（Tc） 750W（Tc） TO-247（IXTH）

得捷:
MOSFET N-CH 200V 102A TO247

贸泽:
MOSFET 102 Amps 200V 22 Rds

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 102A Automotive 3-Pin3+Tab TO-247AD

Win Source:
MOSFET N-CH 200V 102A TO-247

IXTH102N20T中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

漏源极电阻 23 mΩ

耗散功率 750 W

漏源极电压Vds 200 V

漏源击穿电压 200 V

上升时间 26 ns

输入电容Ciss 6800pF @25VVds

下降时间 25 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 750W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 16.26 mm

宽度 5.3 mm

高度 21.46 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 End of Life

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTH102N20T

型号： IXTH102N20T

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans MOSFET N-CH 200V 102A Automotive 3Pin3+Tab TO-247AD

替代型号IXTH102N20T