TO-268 N-CH 150V 80A
N-Channel 150V 80A Tc 360W Tc Surface Mount TO-268
得捷:
MOSFET N-CH 150V 80A TO268
贸泽:
MOSFET 80 Amps 150V 0.0225 Rds
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 150V 80A 3-Pin2+Tab TO-268
通道数 1
漏源极电阻 22.5 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 360 W
漏源极电压Vds 150 V
漏源击穿电压 150 V
连续漏极电流Ids 80A
上升时间 55 ns
输入电容Ciss 4500pF @25VVds
下降时间 20 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 360W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-268-3
长度 16.05 mm
宽度 14 mm
高度 5.1 mm
封装 TO-268-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IXFT80N15Q IXYS Semiconductor | 当前型号 | 当前型号 |
IXFT120N15P IXYS Semiconductor | 类似代替 | IXFT80N15Q和IXFT120N15P的区别 |