IXFT4N100Q参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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IXFT4N100Q图片2

IXFT4N100Q图片3

IXFT4N100Q概述

TO-268 N-CH 1000V 4A

Trans MOSFET N-CH 1KV 4A 3-Pin2+Tab TO-268

得捷:
MOSFET N-CH 1000V 4A TO268

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 1KV 4A 3-Pin2+Tab TO-268

IXFT4N100Q中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 150W Tc

漏源极电压Vds 1000 V

连续漏极电流Ids 4A

输入电容Ciss 1050pF @25VVds

耗散功率Max 150W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-268-3

外形尺寸

封装 TO-268-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXFT4N100Q

型号： IXFT4N100Q

制造商： IXYS Semiconductor

描述：TO-268 N-CH 1000V 4A

替代型号IXFT4N100Q

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
IXFT4N100Q IXYS Semiconductor	当前型号	当前型号
IXFA4N100Q IXYS Semiconductor	功能相似	IXFT4N100Q和IXFA4N100Q的区别
IXFA4N100P IXYS Semiconductor	功能相似	IXFT4N100Q和IXFA4N100P的区别
IXFP4N100P IXYS Semiconductor	功能相似	IXFT4N100Q和IXFP4N100P的区别