IXFP5N100PM

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IXFP5N100PM概述

TO-220 隔离的标片

N-Channel 1000V 2.3A Tc 42W Tc Through Hole TO-220 Isolated Tab


得捷:
MOSFET N-CH 1000V 2.3A TO220


IXFP5N100PM中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 42W Tc

漏源极电压Vds 1000 V

连续漏极电流Ids 2.3A

输入电容Ciss 1830pF @25VVds

耗散功率Max 42W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: IXFP5N100PM
制造商: IXYS Semiconductor
描述:TO-220 隔离的标片

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