IXTA36P15P

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IXTA36P15P概述

P沟道 150V 36A

表面贴装型 P 通道 36A(Tc) 300W(Tc) TO-263(IXTA)


得捷:
MOSFET P-CH 150V 36A TO263


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P沟道 150V 36A


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Trans MOSFET P-CH 150V 36A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK


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Trans MOSFET P-CH 150V 36A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK


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Trans MOSFET P-CH 150V 36A 3-Pin2+Tab D2PAK


DeviceMart:
MOSFET P-CH 150V 36A TO-263


IXTA36P15P中文资料参数规格
技术参数

极性 P-CH

耗散功率 300 W

漏源极电压Vds 150 V

连续漏极电流Ids 36A

上升时间 31 ns

输入电容Ciss 3100pF @25VVds

下降时间 15 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTA36P15P
型号: IXTA36P15P
制造商: IXYS Semiconductor
描述:P沟道 150V 36A
替代型号IXTA36P15P
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IXTA36P15P和IXTP36P15P的区别

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