N沟道 500V 12A
表面贴装型 N 通道 500 V 12A（Tc） 200W（Tc） TO-263（IXFA）
得捷:
MOSFET N-CH 500V 12A TO263
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N沟道 500V 12A
贸泽:
MOSFET 500V 12A
艾睿:
Thanks to Ixys Corporation, both your amplification and switching needs can be taken care of with one component: the IXFA12N50P power MOSFET. Its maximum power dissipation is 200000 mW. This device utilizes hiperfet technology. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.
Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin2+Tab D2PAK
额定电压DC 500 V
额定电流 12.0 A
通道数 1
漏源极电阻 500 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 200 W
阈值电压 5.5 V
输入电容 1.69 nF
栅电荷 29.0 nC
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
连续漏极电流Ids 12.0 A
上升时间 27 ns
输入电容Ciss 1830pF @25VVds
下降时间 20 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 200W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.66 mm
宽度 4.83 mm
高度 16 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
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