IXTN40P50P概述
SOT-227B P-CH 500V 40A
底座安装 P 通道 40A（Tc） 890W（Tc） SOT-227B
得捷:
MOSFET P-CH 500V 40A SOT227B
贸泽:
MOSFET -40.0 Amps -500V 0.230 Rds
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 500V 40A 4-Pin SOT-227B
TME:
Module; single transistor; Uds: -500V; Id: -40A; SOT227B; 890W
Verical:
Trans MOSFET P-CH 500V 40A 4-Pin SOT-227B
IXTN40P50P中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 230 mΩ
极性 P-CH
耗散功率 890 W
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
连续漏极电流Ids 40A
上升时间 59 ns
输入电容Ciss 11500pF @25VVds
下降时间 34 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 890W Tc
封装参数
安装方式 Chassis
引脚数 4
封装 SOT-227-4
外形尺寸
封装 SOT-227-4
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买IXTN40P50P