IXTQ102N20T参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXTQ102N20T概述

TO-3P N-CH 200V 102A

通孔 N 通道 200 V 102A（Tc） 750W（Tc） TO-3P

得捷:
MOSFET N-CH 200V 102A TO3P

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 102A Automotive 3-Pin3+Tab TO-3P

Win Source:
MOSFET N-CH 200V 102A TO3P

IXTQ102N20T中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 750W Tc

漏源极电压Vds 200 V

连续漏极电流Ids 102A

输入电容Ciss 6800pF @25VVds

耗散功率Max 750W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-3-3

外形尺寸

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 End of Life

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTQ102N20T

型号： IXTQ102N20T

制造商： IXYS Semiconductor

描述：TO-3P N-CH 200V 102A

替代型号IXTQ102N20T