N沟道 175V 150A
N-Channel 175V 150A Tc 880W Tc Through Hole TO-247AD IXFH
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MOSFET N-CH 175V 150A TO247AD
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MOSFET 175V 150A
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Trans MOSFET N-CH 175V 150A 3-Pin3+Tab TO-247AD
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Trans MOSFET N-CH 175V 150A 3-Pin3+Tab TO-247AD
Win Source:
MOSFET N-CH 175V 150A TO-247
通道数 1
漏源极电阻 12 mΩ
耗散功率 880 W
阈值电压 2.5V ~ 4.5V
漏源极电压Vds 175 V
漏源击穿电压 175 V
上升时间 16 ns
输入电容Ciss 14600pF @25VVds
下降时间 20 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 880W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IXFH150N17T2 IXYS Semiconductor | 当前型号 | 当前型号 |
IXTH150N17T IXYS Semiconductor | 类似代替 | IXFH150N17T2和IXTH150N17T的区别 |
IXFH150N17T IXYS Semiconductor | 类似代替 | IXFH150N17T2和IXFH150N17T的区别 |