IXTN62N50L

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IXTN62N50L概述

N-Channel Power MOSFET, IXYS Linear seriesN-Channel Power MOSFETs designed specifically for linear operation. These devices feature extended Forward Bias Safe Operating Area FBSOA for increased ruggedness and reliability.### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备

N 通道功率 MOSFET,IXYS Linear 系列

N 通道功率 MOSFET 专门设计用于线性操作。这些设备具有扩展的正向偏置安全工作区域 FBSOA,可提高坚固性和可靠性。


欧时:
IXYS Linear 系列 Si N沟道 MOSFET IXTN62N50L, 62 A, Vds=500 V, 4引脚 SOT-227B封装


得捷:
MOSFET N-CH 500V 62A SOT227B


艾睿:
Create an effective common drain amplifier using this IXTN62N50L power MOSFET from Ixys Corporation. Its maximum power dissipation is 800000 mW. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


富昌:
N-Channel 500 V 62 A 100 mΩ Chassis Mount Power Mosfet - SOT-227B


Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 62A 4-Pin SOT-227B


IXTN62N50L中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 800 W

漏源极电压Vds 500 V

上升时间 85 ns

输入电容Ciss 11500pF @25VVds

下降时间 75 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 800000 mW

封装参数

安装方式 Panel

引脚数 4

封装 SOT-227-4

外形尺寸

长度 38.23 mm

宽度 25.42 mm

高度 9.6 mm

封装 SOT-227-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTN62N50L
型号: IXTN62N50L
制造商: IXYS Semiconductor
描述:N-Channel Power MOSFET, IXYS Linear series N-Channel Power MOSFETs designed specifically for linear operation. These devices feature extended Forward Bias Safe Operating Area FBSOA for increased ruggedness and reliability. ### MOSFET 晶体管,IXYS IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备

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