IXTQ150N06P概述
Trans MOSFET N-CH 60V 150A 3Pin3+Tab TO-3P
N-Channel 60V 150A Tc 480W Tc Through Hole TO-3P
得捷:
MOSFET N-CH 60V 150A TO3P
贸泽:
MOSFET 150 Amps 60V 0.01 Ohm Rds
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 150A 3-Pin3+Tab TO-3P
Win Source:
MOSFET N-CH 60V 150A TO-3P
IXTQ150N06P中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 10 mΩ
耗散功率 480 W
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60 V
上升时间 53 ns
输入电容Ciss 3000pF @25VVds
下降时间 45 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 480W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-3-3
外形尺寸
长度 15.8 mm
宽度 4.9 mm
高度 20.3 mm
封装 TO-3-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买IXTQ150N06P