IXTF1N450参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXTF1N450概述

ISOPLUS N-CH 4500V 0.9A

通孔 N 通道 900mA（Tc） 160W（Tc） ISOPLUS i4-PAC™

得捷:
MOSFET N-CH 4500V 900MA I4PAC

艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 4.5KV 0.9A 3-Pin3+Tab ISOPLUS I4-PAK

IXTF1N450中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 160W Tc

漏源极电压Vds 4500 V

连续漏极电流Ids 0.9A

上升时间 60 ns

输入电容Ciss 1730pF @25VVds

下降时间 127 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 160W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 i4-Pac

外形尺寸

封装 i4-Pac

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： IXTF1N450

制造商： IXYS Semiconductor

描述：ISOPLUS N-CH 4500V 0.9A