IXTP02N50D参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXTP02N50D概述

TO-220AD N-CH 500V 0.2A

通孔 N 通道 500 V 200mA（Tc） 1.1W（Ta），25W（Tc） TO-220-3

得捷:
MOSFET N-CH 500V 200MA TO220AB

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 0.2A 3-Pin3+Tab TO-220AD

Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 500V 0.2A 3-Pin3+Tab TO-220AD

IXTP02N50D中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 1.1 W

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 0.2A

上升时间 4 ns

输入电容Ciss 120pF @25VVds

下降时间 45 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.1W Ta, 25W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTP02N50D

型号： IXTP02N50D

制造商： IXYS Semiconductor

描述：TO-220AD N-CH 500V 0.2A

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