N 通道功率 MOSFET,IXYS HiPerFET™ X2 系列与功率 MOSFET 早期系列相比,IXYS X2 经典 HiPerFET 功率 MOSFET 系列可显著减小电阻和栅极电荷,从而降低损耗并提高操作效率。 这些坚固的设备包含增强型高速本征二极管,且适用于硬切换和谐振模式应用。 X2 类功率 MOSFET 提供各种工业标准封装,包括隔离类型,具有高达 120A(650V 时)额定值。 典型应用包括:直流-直流转换器、交流和直流电动机驱动器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波、太阳能逆变器、温度和照明控制。极低 RDS(接通)和 QG(栅极电荷) 快速本质整流器二极管 低本质栅极电阻 低封装电感 工业标准封装 ### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
N 通道功率 MOSFET,IXYS HiPerFET™ X2 系列
与功率 MOSFET 早期系列相比,IXYS X2 经典 HiPerFET 功率 MOSFET 系列可显著减小电阻和栅极电荷,从而降低损耗并提高操作效率。 这些坚固的设备包含增强型高速本征二极管,且适用于硬切换和谐振模式应用。 X2 类功率 MOSFET 提供各种工业标准封装,包括隔离类型,具有高达 120A(650V 时)额定值。 典型应用包括:直流-直流转换器、交流和直流电动机驱动器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波、太阳能逆变器、温度和照明控制。
极低 RDS(接通)和 QG(栅极电荷)
快速本质整流器二极管
低本质栅极电阻
低封装电感
工业标准封装
### MOSFET ,IXYS
IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.145 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 390 W
阈值电压 5 V
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 22A
上升时间 37 ns
输入电容Ciss 2190pF @25VVds
下降时间 18 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 390W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 16.24 mm
宽度 21.45 mm
高度 5.3 mm
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
REACH SVHC版本 2016/06/20
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
IXFH22N65X2 IXYS Semiconductor | 当前型号 | 当前型号 |
STW30N65M5 意法半导体 | 功能相似 | IXFH22N65X2和STW30N65M5的区别 |