IXTQ10P50P

IXTQ10P50P图片1
IXTQ10P50P图片2
IXTQ10P50P图片3
IXTQ10P50P图片4
IXTQ10P50P概述

P沟道 500V 10A

P-Channel 500V 10A Tc Through Hole TO-3P


得捷:
MOSFET P-CH 500V 10A TO3P


立创商城:
P沟道 500V 10A


贸泽:
MOSFET -10.0 Amps -500V 1.000 Rds


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin3+Tab TO-3P


DeviceMart:
MOSFET P-CH 500V 10A TO-3P


IXTQ10P50P中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 300 W

漏源极电压Vds 500 V

上升时间 28 ns

输入电容Ciss 2840pF @25VVds

下降时间 44 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3-3

外形尺寸

长度 15.8 mm

宽度 4.9 mm

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTQ10P50P
型号: IXTQ10P50P
制造商: IXYS Semiconductor
描述:P沟道 500V 10A
替代型号IXTQ10P50P
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IXTQ10P50P

IXYS Semiconductor

当前型号

当前型号

IXTA10P50P

IXYS Semiconductor

完全替代

IXTQ10P50P和IXTA10P50P的区别

IXTP10P50P

IXYS Semiconductor

完全替代

IXTQ10P50P和IXTP10P50P的区别

IXTH10P50P

IXYS Semiconductor

功能相似

IXTQ10P50P和IXTH10P50P的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台