IXTU01N100D参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXTU01N100D概述

Mosfet n-Ch 1000V 0.1A To-251

N-Channel 1000V 100mA Tc 1.1W Ta, 25W Tc Through Hole TO-251

得捷:
MOSFET N-CH 1000V 400MA TO251

艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 1KV 3-Pin3+Tab TO-251AA

Win Source:
MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-251

IXTU01N100D中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 1.1W Ta, 25W Tc

漏源极电压Vds 1000 V

上升时间 10 ns

输入电容Ciss 120pF @25VVds

下降时间 64 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.1W Ta, 25W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-251-3

外形尺寸

封装 TO-251-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTU01N100D

型号： IXTU01N100D

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Mosfet n-Ch 1000V 0.1A To-251

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