MOSFET N-CH 100V 160A TO-263-7
表面贴装型 N 通道 100 V 160A（Tc） 430W（Tc） TO-263-7（IXTA..7）
得捷:
MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
贸泽:
MOSFET 160 Amps 100V 6.9 Rds
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 160A 7-Pin6+Tab D2PAK
DeviceMart:
MOSFET N-CH 100V 160A TO-263-7
通道数 1
漏源极电阻 7 mΩ
耗散功率 430 W
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
上升时间 61 ns
输入电容Ciss 6600pF @25VVds
下降时间 42 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 430W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-7
长度 10.2 mm
宽度 9.4 mm
高度 4.7 mm
封装 TO-263-7
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IXTA160N10T7 IXYS Semiconductor | 当前型号 | 当前型号 |
IXTP160N10T IXYS Semiconductor | 功能相似 | IXTA160N10T7和IXTP160N10T的区别 |
IXTH160N10T IXYS Semiconductor | 功能相似 | IXTA160N10T7和IXTH160N10T的区别 |
IXTQ160N10T IXYS Semiconductor | 功能相似 | IXTA160N10T7和IXTQ160N10T的区别 |