IXTH10N100D2参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXTH10N100D2概述

N-CH 1000V 10A

N-Channel 1000V 10A Tc 695W Tc Through Hole TO-247

得捷:
MOSFET N-CH 1000V 10A TO247

贸泽:
MOSFET

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 1KV 10A

IXTH10N100D2中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

漏源极电阻 1.5 Ω

极性 N-CH

耗散功率 695 W

漏源极电压Vds 1000 V

漏源击穿电压 1000 V

连续漏极电流Ids 10A

上升时间 36 ns

输入电容Ciss 5320pF @25VVds

下降时间 164 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 695W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： IXTH10N100D2

制造商： IXYS Semiconductor

描述：N-CH 1000V 10A

替代型号IXTH10N100D2