IXFA4N100Q

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IXFA4N100Q概述

D2PAK N-CH 1000V 4A

N-Channel 1000V 4A Tc 150W Tc Surface Mount TO-263 IXFA


得捷:
MOSFET N-CH 1000V 4A TO263


艾睿:
If you need to either amplify or switch between signals in your design, then Ixys Corporation&s;s IXFA4N100Q power MOSFET is for you. Its maximum power dissipation is 150000 mW. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This device is made with hiperfet technology.


Verical:
Trans MOSFET N-CH 1KV 4A 3-Pin2+Tab D2PAK


DeviceMart:
MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263


IXFA4N100Q中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 150 W

漏源极电压Vds 1000 V

连续漏极电流Ids 4A

上升时间 15 ns

输入电容Ciss 1050pF @25VVds

额定功率Max 150 W

下降时间 18 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXFA4N100Q
型号: IXFA4N100Q
制造商: IXYS Semiconductor
描述:D2PAK N-CH 1000V 4A
替代型号IXFA4N100Q
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