IXTQ32N65X

IXTQ32N65X图片1
IXTQ32N65X概述

N-CH 650V 32A

N-Channel 650 V 32A Tc 500W Tc Through Hole TO-3P


得捷:
MOSFET N-CH 650V 32A TO3P


贸泽:
MOSFET 650V/9A Power MOSFET


IXTQ32N65X中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 500 W

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 32A

上升时间 49 ns

输入电容Ciss 2205pF @25VVds

下降时间 28 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 500W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-3-3

外形尺寸

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

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型号: IXTQ32N65X
制造商: IXYS Semiconductor
描述:N-CH 650V 32A

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