N-CH 650V 32A
N-Channel 650 V 32A Tc 500W Tc Through Hole TO-3P
得捷: MOSFET N-CH 650V 32A TO3P
贸泽: MOSFET 650V/9A Power MOSFET
极性 N-CH
耗散功率 500 W
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 32A
上升时间 49 ns
输入电容Ciss 2205pF @25VVds
下降时间 28 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 500W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-3-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
数据手册