IXFH4N100Q

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IXFH4N100Q概述

TO-247AD N-CH 1000V 4A

通孔 N 通道 1000 V 4A(Tc) 150W(Tc) TO-247AD(IXFH)


得捷:
MOSFET N-CH 1000V 4A TO247AD


贸泽:
MOSFET 4 Amps 1000V 2.8 Rds


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 1KV 4A 3-Pin3+Tab TO-247AD


IXFH4N100Q中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 150 W

漏源极电压Vds 1000 V

连续漏极电流Ids 4A

上升时间 15 ns

输入电容Ciss 1050pF @25VVds

额定功率Max 150 W

下降时间 18 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 16.26 mm

宽度 5.3 mm

高度 21.46 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXFH4N100Q
型号: IXFH4N100Q
制造商: IXYS Semiconductor
描述:TO-247AD N-CH 1000V 4A

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