IXFH120N25T参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXFH120N25T概述

TO-247AD N-CH 250V 120A

N-Channel 250V 120A Tc 890W Tc Through Hole TO-247AD IXFH

得捷:
MOSFET N-CH 250V 120A TO247AD

贸泽:
MOSFET Trench HiperFETs Power MOSFETs

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 250V 120A 3-Pin3+Tab TO-247AD

IXFH120N25T中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

漏源极电阻 23 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 890 W

阈值电压 5 V

漏源极电压Vds 250 V

漏源击穿电压 250 V

连续漏极电流Ids 120A

上升时间 16 ns

输入电容Ciss 11300pF @25VVds

下降时间 19 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 890W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXFH120N25T

型号： IXFH120N25T

制造商： IXYS Semiconductor

描述：TO-247AD N-CH 250V 120A

替代型号IXFH120N25T