IXFN32N120P参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXFN32N120P概述

N沟道 1.2kV 32A

底座安装 N 通道 32A（Tc） 1000W（Tc） SOT-227B

得捷:
MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B

立创商城:
N沟道 1.2kV 32A

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 32A 4-Pin SOT-227B

Verical:
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 32A 4-Pin SOT-227B

IXFN32N120P中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 830 W

阈值电压 6.5 V

漏源极电压Vds 1200 V

连续漏极电流Ids 32A

上升时间 62 ns

输入电容Ciss 21000pF @25VVds

下降时间 48 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1000W Tc

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 4

封装 SOT-227-4

外形尺寸

封装 SOT-227-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXFN32N120P

型号： IXFN32N120P

制造商： IXYS Semiconductor

描述：N沟道 1.2kV 32A