IXTH12N150参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXTH12N150概述

N沟道 1.5kV 12A

通孔 N 通道 1500 V 12A（Tc） 890W（Tc） TO-247（IXTH）

得捷:
MOSFET N-CH 1500V 12A TO247

立创商城:
N沟道 1.5kV 12A

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 1.5KV 12A 3-Pin3+Tab TO-247AD

Verical:
Trans MOSFET N-CH 1.5KV 12A 3-Pin3+Tab TO-247AD

IXTH12N150中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 890 W

漏源极电压Vds 1500 V

连续漏极电流Ids 12A

上升时间 16 ns

输入电容Ciss 3720pF @25VVds

下降时间 14 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 890W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTH12N150

型号： IXTH12N150

制造商： IXYS Semiconductor

描述：N沟道 1.5kV 12A

替代型号IXTH12N150