IXTN46N50L

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IXTN46N50L概述

N-Channel Power MOSFET, IXYS Linear seriesN-Channel Power MOSFETs designed specifically for linear operation. These devices feature extended Forward Bias Safe Operating Area FBSOA for increased ruggedness and reliability.### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备

N 通道功率 MOSFET,IXYS Linear 系列

N 通道功率 MOSFET 专门设计用于线性操作。这些设备具有扩展的正向偏置安全工作区域 FBSOA,可提高坚固性和可靠性。


欧时:
IXYS Linear 系列 Si N沟道 MOSFET IXTN46N50L, 46 A, Vds=500 V, 4引脚 SOT-227B封装


立创商城:
N沟道 500V 46A


得捷:
MOSFET N-CH 500V 46A SOT-227B


贸泽:
MOSFET 44 Amps 500V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 46A 4-Pin SOT-227B


Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 46A 4-Pin SOT-227B


IXTN46N50L中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 700 W

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 46A

上升时间 50 ns

输入电容Ciss 7000pF @25VVds

下降时间 42 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 700000 mW

封装参数

引脚数 4

封装 SOT-227-4

外形尺寸

长度 38.2 mm

宽度 25.07 mm

高度 9.6 mm

封装 SOT-227-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTN46N50L
型号: IXTN46N50L
制造商: IXYS Semiconductor
描述:N-Channel Power MOSFET, IXYS Linear series N-Channel Power MOSFETs designed specifically for linear operation. These devices feature extended Forward Bias Safe Operating Area FBSOA for increased ruggedness and reliability. ### MOSFET 晶体管,IXYS IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备

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