IXFR48N60P 系列 600V 150 mOhm N 沟道 增强模式 功率 Mosfet - ISOPLUS-247
通孔 N 通道 600 V 32A（Tc） 300W（Tc） ISOPLUS247™
得捷:
MOSFET N-CH 600V 32A ISOPLUS247
立创商城:
IXFR48N60P
贸泽:
MOSFET 600V 48A
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 32 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 5 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 32A 3-Pin3+Tab ISOPLUS 247
Win Source:
MOSFET N-CH 600V 32A ISOPLUS247 / N-Channel 600 V 32A Tc 300W Tc Through Hole ISOPLUS247™
额定电压DC 600 V
额定电流 48.0 A
针脚数 3
漏源极电阻 0.15 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 300 W
阈值电压 5 V
输入电容 8.86 nF
栅电荷 150 nC
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
连续漏极电流Ids 32.0 A
上升时间 25 ns
输入电容Ciss 8860pF @25VVds
下降时间 22 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 16.13 mm
宽度 5.21 mm
高度 21.34 mm
封装 TO-247-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free