IXTP1R6N50P

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IXTP1R6N50P概述

Trans MOSFET N-CH 500V 1.6A 3Pin3+Tab TO-220

N-Channel 500V 1.6A Tc 43W Tc Through Hole TO-220AB


得捷:
MOSFET N-CH 500V 1.6A TO220AB


贸泽:
MOSFET 1.6 Amps 500 V 6 Ohm Rds


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 1.6A 3-Pin3+Tab TO-220


IXTP1R6N50P中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 500 V

额定电流 1.00 A

通道数 1

漏源极电阻 6.5 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 43 W

阈值电压 5.5 V

输入电容 140 pF

栅电荷 3.90 nC

漏源极电压Vds 500 V

漏源击穿电压 500 V

连续漏极电流Ids 1.00 A

上升时间 26 ns

输入电容Ciss 140pF @25VVds

额定功率Max 43 W

下降时间 23 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 43W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.66 mm

宽度 4.83 mm

高度 16 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTP1R6N50P
型号: IXTP1R6N50P
制造商: IXYS Semiconductor
描述:Trans MOSFET N-CH 500V 1.6A 3Pin3+Tab TO-220
替代型号IXTP1R6N50P
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