IXTK100N25P参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXTK100N25P概述

N沟道 250V 100A

通孔 N 通道 250 V 100A（Tc） 600W（Tc） TO-264（IXTK）

得捷:
MOSFET N-CH 250V 100A TO264

立创商城:
N沟道 250V 100A

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 250V 100A 3-Pin3+Tab TO-264

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 100A; 600W; TO264

IXTK100N25P中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

极性 N-CH

耗散功率 600W Tc

漏源极电压Vds 250 V

连续漏极电流Ids 100A

输入电容Ciss 6300pF @25VVds

耗散功率Max 600W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-264-3

外形尺寸

宽度 5.31 mm

封装 TO-264-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTK100N25P

型号： IXTK100N25P

制造商： IXYS Semiconductor

描述：N沟道 250V 100A

替代型号IXTK100N25P