IXTH52N65X概述
N沟道 650V 52A
N-Channel 650V 52A Tc 660W Tc Through Hole TO-247 IXTH
立创商城:
N沟道 650V 52A
得捷:
MOSFET N-CH 650V 52A TO247
贸泽:
MOSFET 650V/9A Power MOSFET
IXTH52N65X中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 68 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 660 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 650 V
漏源击穿电压 650 V
连续漏极电流Ids 52A
上升时间 57 ns
输入电容Ciss 4350pF @25VVds
下降时间 16 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 660W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
海关信息
香港进出口证 NLR
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