IXTQ22N50P

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IXTQ22N50P概述

N沟道 500V 22A

N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

Features

International standard packages

Unclamped Inductive Switching UIS rated

Low package inductance

  - easy to drive and to protect

Advantages

Easy to mount

Space savings

High power density


得捷:
MOSFET N-CH 500V 22A TO3P


立创商城:
N沟道 500V 22A


贸泽:
MOSFET 22.0 Amps 500 V 0.27 Ohm Rds


艾睿:
Increase the current or voltage in your circuit with this IXTQ22N50P power MOSFET from Ixys Corporation. Its maximum power dissipation is 350000 mW. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin3+Tab TO-3P


Online Components:
Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin3+Tab TO-3P


Win Source:
MOSFET N-CH 500V 22A TO-3P


IXTQ22N50P中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 500 V

额定电流 22.0 A

通道数 1

漏源极电阻 270 mΩ

耗散功率 350 W

输入电容 2.63 nF

栅电荷 50.0 nC

漏源极电压Vds 500 V

漏源击穿电压 500 V

连续漏极电流Ids 22.0 A

上升时间 25 ns

输入电容Ciss 2630pF @25VVds

下降时间 21 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 350W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3-3

外形尺寸

长度 15.8 mm

宽度 4.9 mm

高度 20.3 mm

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IXTQ22N50P
型号: IXTQ22N50P
制造商: IXYS Semiconductor
描述:N沟道 500V 22A
替代型号IXTQ22N50P
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