N沟道,Vdss=1200V,Idss=1A
N-Channel 1200V 1A Tc 63W Tc Through Hole TO-220AB
得捷:
MOSFET N-CH 1200V 1A TO220AB
贸泽:
MOSFET 1 Amps 1200V 20 Rds
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 1A 3-Pin3+Tab TO-220AB
Verical:
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 1A 3-Pin3+Tab TO-220AB
通道数 1
漏源极电阻 20 Ω
极性 N-CH
耗散功率 63 W
漏源极电压Vds 1200 V
漏源击穿电压 1200 V
连续漏极电流Ids 1A
上升时间 28 ns
输入电容Ciss 550pF @25VVds
下降时间 27 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 63W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
长度 10.66 mm
宽度 4.82 mm
高度 9.15 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IXTP1N120P IXYS Semiconductor | 当前型号 | 当前型号 |
IXTA1N120P IXYS Semiconductor | 类似代替 | IXTP1N120P和IXTA1N120P的区别 |