PLUS N-CH 500V 32A
通孔 N 通道 32A（Tc） 416W（Tc） PLUS247™-3
得捷:
MOSFET N-CH 500V 32A PLUS247-3
贸泽:
MOSFET 32 Amps 500V 0.15 Rds
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 32A 3-Pin3+Tab PLUS 247
Win Source:
MOSFET N-CH 500V 32A PLUS247
通道数 1
漏源极电阻 160 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 416 W
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
连续漏极电流Ids 32A
上升时间 42 ns
输入电容Ciss 3950pF @25VVds
额定功率Max 416 W
下降时间 20 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 416W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-247-3
长度 16.13 mm
宽度 5.21 mm
高度 21.34 mm
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IXFX32N50Q IXYS Semiconductor | 当前型号 | 当前型号 |
IXFX32N50 IXYS Semiconductor | 类似代替 | IXFX32N50Q和IXFX32N50的区别 |