N沟道 1.2kV 1.4A
表面贴装型 N 通道 1200 V 1.4A（Tc） 86W（Tc） TO-263AA
立创商城:
N沟道 1.2kV 1.4A
得捷:
MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO263
贸泽:
MOSFET 1.4 Amps 1200V 15 Rds
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 1.4A 3-Pin2+Tab D2PAK
通道数 1
漏源极电阻 10.5 Ω
极性 N-CH
耗散功率 86 W
阈值电压 4.5 V
漏源极电压Vds 1200 V
漏源击穿电压 1200 V
连续漏极电流Ids 1.4A
上升时间 27 ns
输入电容Ciss 666pF @25VVds
额定功率Max 86 W
下降时间 29 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 86W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 9.65 mm
宽度 10.41 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IXTA1R4N120P IXYS Semiconductor | 当前型号 | 当前型号 |
IXTP1R4N120P IXYS Semiconductor | 功能相似 | IXTA1R4N120P和IXTP1R4N120P的区别 |