IXFX180N25T

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IXFX180N25T概述

N-Channel 250V 180A 12.9mΩ Through Hole GigaMOS Power Mosfet - PLUS247

GigaMOS Power MOSFET

N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode

Features

International Standard Packages

High Current Handling Capability

Fast Intrinsic Diode

Avalanche Rated

Low RDSon

Applications

DC-DC Converters

Battery Chargers

Switched-Mode and Resonant-Mode Power Supplies

DC Choppers

AC Motor Drives

Uninterruptible Power Supplies

High Speed Power Switching Applications


得捷:
MOSFET N-CH 250V 180A PLUS247-3


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 250V 180A Automotive 3-Pin3+Tab PLUS 247


Verical:
Trans MOSFET N-CH 250V 180A Automotive 3-Pin3+Tab PLUS 247


IXFX180N25T中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

耗散功率 1390 W

阈值电压 5 V

漏源极电压Vds 250 V

上升时间 33 ns

输入电容Ciss 28000pF @25VVds

下降时间 28 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1390W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

宽度 5.21 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXFX180N25T
型号: IXFX180N25T
制造商: IXYS Semiconductor
描述:N-Channel 250V 180A 12.9mΩ Through Hole GigaMOS Power Mosfet - PLUS247
替代型号IXFX180N25T
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IXFX180N25T

IXYS Semiconductor

当前型号

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IXFK180N25T

IXYS Semiconductor

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IXFX180N25T和IXFK180N25T的区别

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