MOSFET N-CH 1200V 1A TO-263
N-Channel 1200V 1A Tc 63W Tc Surface Mount TO-263 IXTA
得捷:
MOSFET N-CH 1200V 1A TO263
贸泽:
MOSFET 1 Amps 1200V 20 Rds
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 1A 3-Pin2+Tab D2PAK
通道数 1
漏源极电阻 20 Ω
耗散功率 63 W
漏源极电压Vds 1200 V
漏源击穿电压 1200 V
上升时间 28 ns
输入电容Ciss 550pF @25VVds
下降时间 27 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 63W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 9.9 mm
宽度 9.2 mm
高度 4.5 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IXTA1N120P IXYS Semiconductor | 当前型号 | 当前型号 |
IXTP1N120P IXYS Semiconductor | 类似代替 | IXTA1N120P和IXTP1N120P的区别 |